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Lloyd’s mirror interference lithography below a 22-nm pitch with an accessible, tabletop, 13.5 nm high-harmonic EUV source

极紫外光刻 干涉光刻 干扰(通信) 谐波 平版印刷术 材料科学 光电子学 光刻 光学 物理 计算机科学 电信 声学 医学 频道(广播) 替代医学 病理 制作
作者
Kevin M. Dorney,Sonia Castellanos,Esben W. Larsen,Fabian Holzmeier,D. P. Singh,Nadia Vandenbroeck,Danilo De Simone,Peter De Schepper,Alessandro Vaglio-Pret,Clayton Bargsten,Seth L. Cousin,Daisy Raymondson,Eric Rinard,Rod Ward,Henry Kaptyen,Thomas Nuytten,Paul van der Heide,John S. Petersen
标识
DOI:10.1117/12.2595048
摘要

Recently, imec has installed and commissioned an industrial, ultrafast EUV materials characterization and lithography lab, imec's AttoLab, with a primary aim to explore limits of photoresist performance and their associated ultrafast chemistries. Here, we demonstrate, for the first time, the use of a table-top, high-harmonic EUV system (KM Labs, XUUS4) to perform interference lithography of sub-22-nm pitch patterns in an Inpria MOx resist via a Lloyd's mirror interference lithography (IL) tool. Analysis of SEM images enables us to identify potential sources of image blur, which we attribute to out-of-sync vibrations, flare, spectral purity, and laser stability. Nevertheless, these results confirm the ability of table-top, high-harmonic EUV sources to print lithographic patterns below a 22-nm pitch. In future work, we plan to investigate sub-20-nm patterning in different resist formulations, as well as expand the lithographic capabilities in AttoLab to perform IL on full 300-mm wafers.

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