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Large-area low-frequency discharge-produced a-Si:H

光电导性 材料科学 辉光放电 光电子学 电导率 电容感应 电气工程 等离子体 化学 工程类 量子力学 物理 物理化学
作者
G. Jason Smith,W. I. Milne,Paul A. Blackborow
出处
期刊:Electronics Letters [Institution of Engineering and Technology]
卷期号:18 (5): 211-213 被引量:6
标识
DOI:10.1049/el:19820145
摘要

Using a capacitive glow discharge process at 380 kHz, very-large-area uniform films of a a-Si:H (60 cm diameter) have been deposited. The thickness uniformity, activated conductivity, photoconductivity and photoinduced effects in these films are discussed.
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