Shielding considerations for satellite microelectronics

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作者
Wesley C. Fan,Clifton Russell Drumm,S.B. Roeske,G.J. Scrivner
出处
期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:43 (6): 2790-2796 被引量:70
标识
DOI:10.1109/23.556868
摘要

Shielding for space microelectronics needs to provide an acceptable dose rate with minimum shield mass.The analysis presented here shows that the best approach is, in general, to use a graded-Z shield, with a high-Z layer sandwiched between two low-Z materials.A graded-Z shield is shown to reduce the electron dose rate by more than sixty percent over a single-material shield of the same areal density.For protons, the optimal shield would consist of a single, low-Z material owever, it is shown that a graded-Z shield is nearly as effective as a single-material shield, as long as a low-Z layer is located adjacent to the microelectronics.A specific shield design depends upon the details of the radiation environment, system model, design margins/levels, compatibility of shield materials, etc.Therefore, we present here general principles for designing effective shields and describe how the computer codes are used for this application.
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