Dual-gated MOSFETs of α-In2Se3 monolayer for high performance and low power logic applications

单层 材料科学 对偶(语法数字) 光电子学 逻辑门 电子工程 纳米技术 计算机科学 工程类 文学类 艺术
作者
Miao-Wei Zhao,Jian‐Qing Dai,Jin Yuan,Dawei Deng,Yun-Ya Zhong
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:684: 161921-161921 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2024.161921

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