General Properties of Bulk SiC

碳化硅 材料科学 制作 半导体 光电子学 宽禁带半导体 碳化物 理想(伦理) 工程物理 带隙 纳米技术 复合材料 工程类 认识论 医学 哲学 病理 替代医学
作者
Jiyang Fan,Paul K. Chu
出处
期刊:Engineering materials and processes [Springer Nature]
卷期号:: 7-114 被引量:18
标识
DOI:10.1007/978-3-319-08726-9_2
摘要

The fabrication and properties of silicon carbide crystals have been extensively studied because as a wide bandgap semiconductor, silicon carbide is ideal for electronic applications requiring high temperature, high frequency, and high power.
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