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Structural and electronic properties of defects at grain boundaries in CuInSe2

晶界 材料科学 电子结构 结晶学 工程物理 凝聚态物理 化学 冶金 物理 微观结构
作者
R. Saniz,J Bekaert,B. Partoens,D. Lamoen
出处
期刊:Physical Chemistry Chemical Physics [Royal Society of Chemistry]
卷期号:19 (22): 14770-14780 被引量:19
标识
DOI:10.1039/c7cp02033c
摘要

Octet rule violation near the grain boundary plane is common in Σ3 grain boundaries, with important structural and electronic implications.

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