异质结
材料科学
光电子学
双极结晶体管
外延
激光器
异质结双极晶体管
晶体管
光学
纳米技术
电压
电气工程
图层(电子)
物理
工程类
作者
段子刚 DUAN Zi-gang,柴广跃 CHAI Guang-yue
标识
DOI:10.3788/gzxb20103908.1409
摘要
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5 μm 波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1 nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
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