材料科学
兴奋性突触后电位
氧化铟锡
光电子学
铟
突触后电位
突触后电流
纳米技术
神经科学
薄膜
抑制性突触后电位
心理学
生物化学
受体
化学
作者
Hyogeun Park,Sungjun Kim
摘要
The optoelectronic synaptic device based on an indium tin oxide/SiN/TaN structure integrated both synaptic and nociceptor functionalities, with Pavlovian conditioning examined.
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