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 Characteristics of transport properties in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.35N channel HEMTs with low contact resistance and high breakdown voltage (>2.5 kV) 相关领域
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
接触电阻
带隙
击穿电压
电压
电气工程
纳米技术
工程类
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Swarnav Mukhopadhyay; Khush Gohel; Surjava Sanyal; Mayand Dangi; Rajnin Imran Roya; et al 出版日期：2025-04-01 |
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