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标题
High Performance of Monolithically Integrated GaN Micro‐LED With p‐MOSFET: Advancing Toward Active Matrix Micro‐LED Displays
具有p型MOS场效应晶体管的单片集成式Gap微型LED的高性能：迈向主动矩阵微型LED显示器
相关领域
MOSFET 材料科学 光电子学 基质（化学分析） 工程物理 有源矩阵 纳米技术 电气工程 物理 工程类 晶体管 复合材料 电压 薄膜晶体管 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1002/admt.202500645
DOI
10.1002/admt.202500645 doi
其它 期刊：Advanced materials and technologies
作者：Yanzhen Yin; Byung‐Ryool Hyun; Wenjun Huang; Zhaojun Liu
出版日期：2025-07-06
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qqqwww 在 2025-07-26 23:35:44 发布自广东，悬赏 10 积分
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