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  Direct Extraction Methods for RF Characterization of Extrinsic Parasitic Parameters in 28 nm FDSOI MOSFETs up to 110 GHz 高达110 GHz的28 nm FDSOI MOSFET中非本征寄生参数射频表征的直接提取方法
相关领域
光电子学
材料科学
表征（材料科学）
MOSFET
无线电频率
绝缘体上的硅
萃取（化学）
电子工程
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硅
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化学
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Xuejing Yang; Kyounghoon Yang 出版日期：2024-01-01 |
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