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标题
Optimization of Dual-K Gate Dielectric and Dual Gate Heterojunction SOI FinFET at 14 nm Gate Length
14 nm栅长双K栅介质和双栅异质结SOI FinFET的优化
相关领域
材料科学 绝缘体上的硅 光电子学 阈下传导 异质结 晶体管 泄漏（经济） 栅极电介质 电介质 排水诱导屏障降低 电子工程 阈值电压 电气工程 硅 电压 工程类 经济 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.1080/03772063.2019.1620640
DOI
10.1080/03772063.2019.1620640 doi
其它 期刊：IETE Journal of Research
作者：Samjot Kaur Aujla; Navneet Kaur
出版日期：2019-06-10
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唠叨的灯泡 在 2025-08-29 20:42:34 发布，悬赏 30 积分
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