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标题
Multi-level flash memory device based on stacked anisotropic ReS2–boron nitride–graphene heterostructures
基于堆叠各向异性ReS2-氮化硼-石墨烯异质结构的多级闪存器件
相关领域
氮化硼 异质结 石墨烯 材料科学 光电子学 闪光灯（摄影） 硼 纳米技术 闪存 计算机科学 光学 化学 嵌入式系统 物理 有机化学
网址
https://doi.org/10.1039/d0nr03965a
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1039/d0nr03965a doi
其它 期刊：Nanoscale
作者：Enxiu Wu; Yuan Xie; Shijie Wang; Daihua Zhang; Xiao Hu; et al
出版日期：2020-01-01
求助人
zhut 在 2025-12-08 19:26:02 发布自湖南，悬赏 10 积分
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