A High Performance Normally-Off AlGaN/GaN Split-Gate Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MIS-HEMT) Using Piezo Neutralization Technique

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标题	[高分] A High Performance Normally-Off AlGaN/GaN Split-Gate Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MIS-HEMT) Using Piezo Neutralization Technique 采用压电中和技术的高性能常关AlGaN/GaN分裂栅金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
网址	https://doi.org/10.1166/jno.2022.3185
DOI	10.1166/jno.2022.3185 doi
其它	期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Xuebing Su; Yang Wang; Xiangliang Jin; Hongjiao Yang 出版日期：2022
求助人	所所在 2025-12-05 14:15:12 发布自内蒙古，悬赏 150 积分
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