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Low‐Temperature Selective Growth of Heavily Boron‐Doped Germanium Source/Drain Layers for Advanced pMOS Devices |
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期刊:Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者:Clément Porret; Anurag Vohra; Nobuya Nakazaki; Andriy Hikavyy; Bastien Douhard; et al 出版日期:2019-10-26 |
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