| 标题 |
Structure Design and Breakdown Characteristics Enhancement of SGT-MOS with Dual-Zone High-K Dielectric Synergistic Modulation 相关领域
材料科学
电介质
沟槽
功勋
电场
光电子学
电压
击穿电压
调制(音乐)
制作
高压
介电强度
电气工程
电子工程
功率(物理)
工程物理
电击穿
功率MOSFET
阈值电压
功率密度
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:2025 7th International Conference on Energy Systems and Electrical Power (ICESEP) 作者:Wanhuang Wang; Hua Shi; Yi Chen 出版日期:2025-06-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)