High-Brightness Micro-LED Achieved by Controlled n-GaN Thinning via RIE

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标题	High-Brightness Micro-LED Achieved by Controlled n-GaN Thinning via RIE
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.5c01960
DOI	10.1021/acsaelm.5c01960 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Zeyang Meng; Guanghua Wang; Sibo Gao; Feng Deng; Shuxiong Gao; et al 出版日期：2026-01-22
求助人	等烟雨在 2026-06-23 18:49:36 发布自吉林，悬赏 10 积分
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