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标题
IGZO-Based High-Performance Asymmetrical Negative-Capacitance Tunneling FET With Ti Low Schottky Barrier Contact
Ti低肖特基势垒接触IGZO基高性能非对称负电容隧穿场效应管
相关领域
量子隧道 肖特基势垒 电容 材料科学 光电子学 负阻抗变换器 金属半导体结 凝聚态物理 电气工程 化学 电极 物理 工程类 电压 物理化学 二极管 电压源
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3512474
DOI
10.1109/ted.2024.3512474 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Siwei Wang; Yun-Hao Shao; Baifan Qian; Qingqing Sun; David Wei Zhang; et al
出版日期：2024-01-01
求助人
木木 在 2025-06-12 18:35:08 发布自福建，悬赏 10 积分
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