Achieving a Low-Voltage, High-Mobility IGZO Transistor through an ALD-Derived Bilayer Channel and a Hafnia-Based Gate Dielectric Stack

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标题	Achieving a Low-Voltage, High-Mobility IGZO Transistor through an ALD-Derived Bilayer Channel and a Hafnia-Based Gate Dielectric Stack
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.0c22677
DOI	10.1021/acsami.0c22677 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Min Hoe Cho; Cheol Hee Choi; Hyeon Joo Seul; Hyun Cheol Cho; Jae Kyeong Jeong 出版日期：2021-04-01
求助人	dddddd 在 2026-07-30 15:17:34 发布自浙江，悬赏 10 积分
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