Formation of basal plane dislocations by stress near epilayer/substrate interface of large-diameter SiC wafers with thick epitaxial layers

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标题	Formation of basal plane dislocations by stress near epilayer/substrate interface of large-diameter SiC wafers with thick epitaxial layers
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/5.02104...
DOI	10.1063/5.0210422 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：F. Fujie; Tsubasa Shiono; K. Murata; N. Ishibashi; Yuichiro Mabuchi; et al 出版日期：2024-06-17
求助人	鲜艳的白竹在 2026-08-10 15:10:45 发布自福建，悬赏 10 积分
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