Enhancing Uniformity, Read Voltage Margin, and Retention in Three-Dimensional and Self-Rectifying Vertical Pt/Ta 2 O 5 /Al 2 O 3 /TiN Memristors

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标题	Enhancing Uniformity, Read Voltage Margin, and Retention in Three-Dimensional and Self-Rectifying Vertical Pt/Ta 2 O 5 /Al 2 O 3 /TiN Memristors
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.4c15598
DOI	10.1021/acsami.4c15598 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Tae Won Park; Jiwon Moon; Dong Hoon Shin; Hae Jin Kim; Seung Soo Kim; et al 出版日期：2024-11-12
求助人	生动绫在 2026-08-31 10:34:45 发布自浙江，悬赏 10 积分
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