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 Ge/GaAs Heterostructure TFET With Schottky Contact to Suppress Ambipolar and Trap-Assisted Tunneling 具有肖特基接触抑制双极和陷阱辅助隧穿的Ge/GaAs异质结构TFET
相关领域
双极扩散
量子隧道
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jyi-Tsong Lin; Hong-Syue Ho 出版日期：2023-10-05 |
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