Ge/GaAs Heterostructure TFET With Schottky Contact to Suppress Ambipolar and Trap-Assisted Tunneling

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标题	Ge/GaAs Heterostructure TFET With Schottky Contact to Suppress Ambipolar and Trap-Assisted Tunneling 具有肖特基接触抑制双极和陷阱辅助隧穿的Ge/GaAs异质结构TFET 相关领域双极扩散量子隧道异质结肖特基势垒光电子学材料科学带隙肖特基二极管场效应晶体管晶体管电气工程物理二极管电压工程类量子力学等离子体
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3318522
DOI	10.1109/ted.2023.3318522 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jyi-Tsong Lin; Hong-Syue Ho 出版日期：2023-10-05
求助人	嘟嘟111 在 2025-08-27 22:56:15 发布，悬赏 10 积分
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