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 Sensitivity study of super-junction power MOSFETs by spatial and depth resolved heavy ion SEE mapping with various bias, LETs and ion ranges 不同偏压、LET和离子范围的空间和深度分辨重离子SEE映射研究超结功率MOSFET的灵敏度
相关领域
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离子
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：M. Gerold; G. Dollinger; Ludwig Günther; Judith Reindl; M. Rüb 出版日期：2024-03-12 |
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(2025-6-4)
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