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Origin of Soft Breakdown in Thin-Barrier AlGaN/GaN SBD With C-Doped GaN Buffer
掺C GaN缓冲液薄势垒AlGaN/GaN SBD软击穿的起源
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3227223
DOI
10.1109/ted.2022.3227223 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Hao Wu; Xuanwu Kang; Yingkui Zheng; Wei Ke; Rikang Zhao; et al
出版日期：2022-12-19
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虚幻的天问 在 2025-12-04 15:42:29 发布自山西，悬赏 10 积分
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