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The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure
通过改进电极结构实现仅用B离子注入掺杂制备肖特基势垒二极管的改进
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/acc70d
DOI
10.35848/1347-4065/acc70d doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Yuhei Seki; Niloy Chandra Saha; Seiya Shigematsu; Yasushi Hoshino; Jyoji Nakata; et al
出版日期：2023-03-23
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路客 在 2025-12-04 22:17:52 发布自广东，悬赏 10 积分
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