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Oxide-Trapped-Charge-Induced Gate-Diagonal Tunneling Suppression of Gate-Normal Tunnel Field- Effect Transistorsx 栅极正常隧道场效应晶体管的氧化物俘获电荷诱导栅极对角隧穿抑制
相关领域
量子隧道
场效应晶体管
晶体管
隧道效应
材料科学
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栅氧化层
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