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Temperature-dependent characteristics of AlGaN/GaN FinFETs with sidewall MOS channel 侧壁MOS沟道AlGaN/GaN FinFET的温度相关特性
相关领域
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期刊:Solid-state Electronics 作者:Ki‐Sik Im; Hee‐Sung Kang; Do-Kywn Kim; Sindhuri Vodapally; Yohan Park; et al 出版日期:2016-03-26 |
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