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 A Two-Dimensional MoS2 Device and CMOS Inverter Based on the Plasma Immersion Doping Technique 基于等离子体浸没掺杂技术的二维MoS2器件及CMOS反相器
相关领域
材料科学
CMOS芯片
光电子学
噪声裕度
MOSFET
纳米电子学
兴奋剂
逆变器
场效应晶体管
阈值电压
等离子体浸没离子注入
电子工程
电气工程
晶体管
纳米技术
电压
离子注入
化学
工程类
离子
有机化学
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Yuan Zhang; Shijiao Hu; Yufei Zhou; Tingwei Xu; Yufeng Peng; et al 出版日期：2023-05-23 |
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(2025-6-4)
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