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 Origin of tensile stress in the Si substrate induced by TiN∕HfO2 metal gate/high-k dielectric gate stack 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：J. G. Wang; Jiyoung Kim; Chang Yong Kang; Byoung Hun Lee; Raj Jammy; et al 出版日期：2008-10-20 |
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