Back-End-of-Line Compatible Large-Area Molybdenum Disulfide Grown on Flexible Substrate: Enabling High-Performance Low-Power Memristor Applications

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标题	Back-End-of-Line Compatible Large-Area Molybdenum Disulfide Grown on Flexible Substrate: Enabling High-Performance Low-Power Memristor Applications 相关领域材料科学光电子学基质（水族馆）二硫化钼纳米技术电阻随机存取存储器记忆电阻器非易失性存储器电压电气工程复合材料海洋学地质学工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.3c03407
DOI	10.1021/acsnano.3c03407 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Arindam Bala; Anamika Sen; Junoh Shim; Srinivas Gandla; Sunkook Kim 出版日期：2023-07-07
求助人	QIaoyiBOy 在 2026-06-08 18:18:45 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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