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 Failure mechanism analysis of 1.2 kV SiC MOSFETs under low-temperature storage, power cycling, and short-circuit interactions 1.2 kV SiC MOSFET在低温存储、功率循环和短路相互作用下的失效机理分析
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期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Pengkai Wang; Yuan Chen; Xinyu Zhu; Hu He; Junhui Li 出版日期：2024-08-01 |
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