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Van der Waals epitaxy of topological insulator Bi2Se3 on single layer transition metal dichalcogenide MoS2 |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:K. H. M. Chen; H. Y. Lin; S. R. Yang; C. K. Cheng; X. Q. Zhang; et al 出版日期:2017-08-24 |
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(2025-6-4)