High Aspect Ratio β-Ga2O3 Fin Arrays with Low-Interface Charge Density by Inverse Metal-Assisted Chemical Etching

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标题	High Aspect Ratio β-Ga2O3 Fin Arrays with Low-Interface Charge Density by Inverse Metal-Assisted Chemical Etching
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.9b01709
DOI	10.1021/acsnano.9b01709 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Hsien-chih Huang; Munho Kim; X. Zhan; K. Chabak; J. Kim; et al 出版日期：2019-06-17
求助人	mait 在 2026-07-30 16:27:32 发布自浙江，悬赏 10 积分
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