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A 3-nm FinFET 27.6-Mbit/mm2 Single-Port 6T SRAM Enabling 0.48–1.2 V Wide Operating Range With Far-End Pre-Charge and Weak-Bit Tracking |
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期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者:Y. Aoyagi; Koji Nii; Makoto Yabuuchi; Tomotaka Tanaka; Yuichiro Ishii; et al 出版日期:2024-02-09 |
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(2025-6-4)