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 3D heterogeneous integration of high performance high-K metal gate GaN NMOS and Si PMOS transistors on 300mm high-resistivity Si substrate for energy-efficient and compact power delivery, RF (5G and beyond) and SoC applications 相关领域
NMOS逻辑
PMOS逻辑
材料科学
光电子学
基质（水族馆）
晶体管
氮化镓
电阻率和电导率
MOSFET
电气工程
纳米技术
工程类
电压
海洋学
地质学
图层（电子）
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期刊：International Electron Devices Meeting 作者：H. Then; Cheng-Ying Huang; B. Krist; K. Jun; Kevin L. Lin; et al 出版日期：2019-12-01 |
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