标题 |
Tunable Volatile to Non‐Volatile Resistive Switching in PbZrO3 Antiferroelectric Thin Film for Neuromorphic Computing
用于神经形态计算的PbZrO3反铁电薄膜的可调易失性到非易失性电阻开关
相关领域
神经形态工程学
材料科学
薄膜
异质结
脉冲激光沉积
非易失性存储器
纳米孔
光电子学
电阻随机存取存储器
纳米技术
电压
人工神经网络
电气工程
计算机科学
工程类
机器学习
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期刊:Advanced Materials Interfaces 作者:Zonglin Lv; Hongwei Wang; Jinpeng Cao; Chao Zhang; Guo Ping Zhao; et al 出版日期:2022-06-26 |
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