| 标题 |
 Influence of deposition power of PECVD intrinsic a-Si:H buffer layer on n+ poly-Si/SiO /c-Si passivating contacts PECVD本征a-Si：H缓冲层沉积功率对n+poly-Si/SiO/c-Si钝化接触的影响
相关领域
等离子体增强化学气相沉积
图层（电子）
沉积（地质）
材料科学
化学气相沉积
缓冲器（光纤）
硅
化学工程
化学
光电子学
纳米技术
电气工程
古生物学
工程类
沉积物
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Zhirong Yao; Wei Si; Yingwen Zhao; Paul Procel; Engin Özkol; et al 出版日期：2025-05-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
hjyylab
cdercder
平常的毛豆
昏睡的蟠桃
彭于彦祖
挖掘机
coolkid
热心市民小红花
孙燕
wangrblzu
jenningseastera
hanzhipad
小粽子
科研助手6
Singularity
scm
等待冬亦
iNk
HEIKU
皖公网安备34019202002308
