Investigation of Degradation and Failure Mechanism in 1200-V Planar SiC MOSFET Under Statical Accelerated Lifetime Test

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标题	Investigation of Degradation and Failure Mechanism in 1200-V Planar SiC MOSFET Under Statical Accelerated Lifetime Test
网址	https://doi.org/10.1109/tdmr.2025.3577612
DOI	10.1109/tdmr.2025.3577612 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Jiuyang Tang; Yuhan Duan; Pan Liu 出版日期：2025-06-09
求助人	怀民在 2026-10-13 15:11:31 发布自广东，悬赏 10 积分
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