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 Thin channel Ga2O3 MOSFET with 55 GHz fMAX and > 100 V breakdown 相关领域
跨导
截止频率
光电子学
材料科学
击穿电压
分子束外延
MOSFET
分析化学（期刊）
外延
电气工程
化学
晶体管
图层（电子）
电压
纳米技术
色谱法
工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Chinmoy Nath Saha; Abhishek Vaidya; Noor Jahan Nipu; Lingyu Meng; Dong Su Yu; et al 出版日期：2024-08-05 |
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(2025-6-4)
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