| 标题 |
Normally-off AlGaN/GaN HFET with p-type GaN gate and AlGaN buffer
p型GaN栅和AlGaN缓冲的常关AlGaN/GaN HFET
相关领域
光电子学
材料科学
缓冲器（光纤）
宽禁带半导体
氮化镓
图层（电子）
纳米技术
计算机科学
电信
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| 其它 |
期刊：2010 6th International Conference on Integrated Power Electronics Systems 作者：Hilt; Knauer; Brunner; Bahat-Treidel; Würfl 出版日期：2010-01-01 |
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