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 Surface activated bonding of SiC/diamond for thermal management of high-output power GaN HEMTs SiC/diamond表面活化键合用于高输出功率GaN HEMTs热管理
相关领域
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期刊：Japanese journal of applied physics 作者：Yuichi Minoura; Takao Ohki; Naoya Okamoto; Atsushi Yamada; Kozo Makiyama; et al 出版日期：2020-01-27 |
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