| 标题 |
[求助补充材料]
 In situ interface engineering enabled high-performance InSnO thin-film transistor incorporating ultrathin Y2O3 layer 相关领域
材料科学
光电子学
图层（电子）
钇
晶体管
阈值电压
溅射
钝化
氧化物
薄膜晶体管
铟
氧化铟锡
场效应晶体管
压力（语言学）
MOSFET
纳米技术
偏压
锡
电压
阻挡层
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhenghao Duan; Shi Zong; Lei Xu; Zhengdao Xie; Wencheng Niu; et al 出版日期：2026-02-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
伶俐妙海
Kao
yjh123
Nexus
Nole
Copyright
arniu2008
EastWind
xjcy
善良羿
pluto
tiptip
OK
sagitar
Orisol
潇洒的惋清
实验室
梨子
皖公网安备34019202002308
