The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films

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标题	The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1134/S1063785021020...
DOI	10.1134/s1063785021020309 doi
其它	期刊：Technical Physics Letters 作者：A. V. Voitsekhovskii; S. N. Nesmelov; S. M. Dzyadukh; V. S. Varavin; S. A. Dvoretskii; et al 出版日期：2021-03-23
求助人	Naruto 在 2026-05-26 20:57:53 发布自英国，悬赏 10 积分
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