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  Complementary optoelectronic interaction of n+-Si/p-Ge heterojunctions fabricated via transfer printing toward broadband photodetectors 用于宽带光电探测器的转移印刷n+-Si/p-Ge异质结的互补光电相互作用
相关领域
异质结
光电探测器
光电子学
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材料科学
堆积
宽带
半导体
光学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：P. S. D. Lin; Qinglei Guo 出版日期：2024-04-15 |
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