| 标题 |
 Low Leakage Current β-Ga2O3 Self-Aligned Trench Junction Barrier Schottky Diodes 低漏电流β-Ga2O3自对准沟槽结势垒肖特基二极管
相关领域
沟槽
光电子学
二极管
材料科学
肖特基二极管
金属半导体结
泄漏（经济）
肖特基势垒
纳米技术
宏观经济学
经济
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shengliang Cheng; Yuru Lai; Xing Lü; Tiecheng Luo; Haowen Luo; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
小青椒
Xiaoxiao
从容芮
Dean
tuanheqi
xxfsx
eric888
ceeray23
朝阳区李知恩
无极微光
GingerF
BINGBING1230
馆长
laber
不配.
小杭76
梦里花落声
Aluhaer
风清扬
请叫我风吹麦浪
Criminology34
研究生end
竹筏过海
昏睡的蟠桃
pcr163
Akarate
dl
皖公网安备34019202002308
