Low Leakage Current β-Ga2O3 Self-Aligned Trench Junction Barrier Schottky Diodes

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标题	Low Leakage Current β-Ga2O3 Self-Aligned Trench Junction Barrier Schottky Diodes 低漏电流β-Ga2O3自对准沟槽结势垒肖特基二极管相关领域沟槽光电子学二极管材料科学肖特基二极管金属半导体结泄漏（经济）肖特基势垒纳米技术宏观经济学经济图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2025.3571880
DOI	10.1109/ted.2025.3571880 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shengliang Cheng; Yuru Lai; Xing Lü; Tiecheng Luo; Haowen Luo; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	momo19 在 2025-10-13 11:30:25 发布自越南，悬赏 10 积分
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