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 The effect of Si3N4/SiNX stacked structure for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 相关领域
材料科学
钝化
光电子学
泄漏（经济）
晶体管
阈值电压
电子迁移率
栅氧化层
薄膜晶体管
击穿电压
电压
MOSFET
氮化硅
场效应晶体管
随时间变化的栅氧化层击穿
氮化物
电气工程
反向漏电流
和大门
电子
热载流子注入
绝缘体（电）
硅
功率半导体器件
感应高电子迁移率晶体管
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yanhui Xing; Jie Shang; Zishuo Han; Guohao Yu; Xingjie Huang; et al 出版日期：2025-11-03 |
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