The effect of Si3N4/SiNX stacked structure for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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标题	The effect of Si3N4/SiNX stacked structure for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 相关领域材料科学光电子学晶体管离子注入等离子体电子迁移率薄膜晶体管场效应晶体管电子硅感应高电子迁移率晶体管
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110208
DOI	10.1016/j.mssp.2025.110208 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yanhui Xing; Jie Shang; Zishuo Han; Guohao Yu; Xingjie Huang; et al 出版日期：2025-11-03
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