Selective Dry Etching of GaAs/AlAs Based on SiCl4/SF6 Mixtures by ICP

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标题	Selective Dry Etching of GaAs/AlAs Based on SiCl4/SF6 Mixtures by ICP
网址	http://www.jos.ac.cn/article/id/6740f29b-2bab-4a23-a0db-5970...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Zhaomin Tong; Chenyang Xue; Wendong Zhang; Wang Yong; Wendong Zhang; et al 出版日期：2008-06-05
求助人	goudan123 在 2026-01-20 14:34:15 发布自湖北，悬赏 10 积分
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