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标题
3C-SiC-on-Si MOSFETs: Overcoming Material Technology Limitations
3C-Si-Si-Si上MOS：克服材料技术限制
相关领域
MOSFET 材料科学 碳化硅 光电子学 退火（玻璃） 晶体管 硅 宽禁带半导体 工程物理 功率半导体器件 掺杂剂 半导体 电子迁移率 电子工程 电气工程 兴奋剂 电压 工程类 冶金
网址
https://doi.org/10.1109/tia.2021.3119269
AI链接 worktribe.com worktribe.comdoi.org
DOI
10.1109/tia.2021.3119269 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Industry Applications
作者：Anastasios Arvanitopoulos; Marina Antoniou; Fan Li; Michael Jennings; Samuel Perkins; et al
出版日期：2022-01-01
求助人
个性的篮球 在 2025-05-25 17:36:37 发布自广东，悬赏 10 积分
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