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 High-performance annealing-free InGaZnOx thin film transistors by thermal ALD 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hyeong Seok Choi; Dong Hee Han; Hyun Woo Jeong; Jaejoon Kim; Joonyong Kim; et al 出版日期：2026-01-28 |
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