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Fabrication of a wider bandgap θ-Al2O3 by oxidation of ultrathin AlN films for leakage current reduction 氧化超薄膜AlN制备宽带隙θ-Al2O3以降低漏电流
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Yusuke NAKAJIMA; Akira Takashima; Masaki Noguchi; Tatsunori Isogai 出版日期:2024-02-16 |
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